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其他產(chǎn)品及廠家

紅外線測(cè)溫儀TM-643科電正品
經(jīng)濟(jì)型tm643紅外線測(cè)溫儀測(cè)量范圍:-32~760℃,物距比:12:1,為目前市面上價(jià)格最底的高品質(zhì)低端紅外測(cè)溫儀。 tm643紅外線測(cè)溫儀具有4位背光lcd顯示,激光瞄準(zhǔn),可自動(dòng)關(guān)機(jī)。 接觸非接觸兩用。tm-643可連接熱電偶,為您實(shí)現(xiàn)接觸和非接觸雙重測(cè)量方式。
更新時(shí)間:2025-02-18
紅外線測(cè)溫儀TM-660科電正品
tm-660測(cè)量范圍:-50~999℃,物距比:12:1,在您無操作后6秒自動(dòng)關(guān)機(jī),方便省電。兩種溫度制式轉(zhuǎn)換,背光顯示,鐳射制式,這一切都為您的溫度測(cè)量工作帶來的享受。
更新時(shí)間:2025-02-18
紅外線測(cè)溫儀TM-672科電正品
tm-672紅外測(cè)溫儀測(cè)溫范圍:-32 ~ 1300℃,距離系數(shù):30:1近20年來,非接觸紅外測(cè)溫儀在技術(shù)上得到迅速發(fā)展,性能不斷完善,功能不斷增強(qiáng),品種不斷增多,適用范圍也不斷擴(kuò)大,市場占有率逐年增長。比起接觸式測(cè)溫方法,紅外測(cè)溫有著響應(yīng)時(shí)間快、非接觸、使用安全及使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-02-18
紫外線照度計(jì)UVAB-513科電儀器
人性化操作:uvab-513小巧靈活,可以單手操作,探頭與機(jī)體分離,方便簡捷,更有自動(dòng)記憶功能,可存儲(chǔ)20組數(shù)據(jù),方便您的數(shù)據(jù)處理工作。
更新時(shí)間:2025-02-18
照度計(jì)白光照度計(jì)LX-101科電儀器
傳感器使用獨(dú)特的照相二極管和顏色修正濾波器,適用c.i.e.照片頻譜。 傳感器cmos修正因子,滿足標(biāo)準(zhǔn)。 分離的亮度傳感器,允許用戶采取合適位置測(cè)量。 精確、方便的讀數(shù)顯示,寬量程。
更新時(shí)間:2025-02-18
噪音計(jì)(聲級(jí)計(jì))SL-4030科電儀器
測(cè)量范圍:30~130db(分貝). 測(cè)量頻率范圍:31.5~8000hz. 精確度:±1.5db(94db/1khz)
更新時(shí)間:2025-02-18
酸堿計(jì)PH-206科電正品
可采用自動(dòng)或手動(dòng)溫度補(bǔ)償
更新時(shí)間:2025-02-18
測(cè)速計(jì)RM-722科電產(chǎn)品
使用方便:rm-722是高品質(zhì)高性價(jià)比手持式儀器,體積小巧、結(jié)構(gòu)緊湊,使用及攜帶方便靈活,單手即可操作。即可手持測(cè)量也可固定使用。 數(shù)據(jù)存儲(chǔ):rm-722可以為您存儲(chǔ)10組值、10組值、10組平均值及10組測(cè)量值,共20組數(shù)據(jù)。方便您的數(shù)據(jù)記錄 省電設(shè)計(jì):rm-722在您無操作后6秒自動(dòng)關(guān)機(jī),方便省電。
更新時(shí)間:2025-02-18
轉(zhuǎn)速計(jì)RM-723科電儀器
兩種測(cè)量方式:連接探頭,rm-723即可為您實(shí)現(xiàn)接觸式測(cè)量,幫助您應(yīng)對(duì)更多環(huán)境。 使用方便:rm-72x是高品質(zhì)高性價(jià)比手持式儀器,體積小巧、結(jié)構(gòu)緊湊,使用及攜帶方便靈活,單手即可操作。即可手持測(cè)量也可固定使用。
更新時(shí)間:2025-02-18
震動(dòng)計(jì)VB-8200科電儀器
* 工業(yè)振動(dòng)探測(cè)應(yīng)用 (所有的工業(yè)機(jī)器都會(huì)振動(dòng)。振動(dòng)幅度可以反映機(jī)器的情況。平衡性差,定位不準(zhǔn),零件的松動(dòng)都會(huì)造成振動(dòng)的增加,這就表示機(jī)器需要維修。)
更新時(shí)間:2025-02-18
觀片燈GP-2000C科電儀器
1.亮度:225000cd/m2 (700000lux)2.可觀察膠片黑度:0.96.電源:交流:輸入50~60hz /100~230v ac 輸出24v/5a 直流:24v7.功耗:120w8.外形尺寸:360*95*195(mm)
更新時(shí)間:2025-02-18
大體積混凝土溫度測(cè)試儀
大體積混凝土溫度測(cè)試儀,該儀器可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)大體積混凝土凝固過程中因釋放水化熱引起的混凝土內(nèi)部的溫升,從而可及時(shí)做出應(yīng)對(duì)策略,避免混凝土因溫升造成的開裂等嚴(yán)重后果。此儀器系統(tǒng)主要適用于鐵路、水利、電力、市政、建筑等領(lǐng)域;可對(duì)混凝土內(nèi)部溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),并可通過無線網(wǎng)絡(luò)與計(jì)算機(jī)進(jìn)行通信,實(shí)現(xiàn)了真正意義上的遠(yuǎn)程監(jiān)控。
更新時(shí)間:2025-02-18
MC-2000D型涂(鍍)層測(cè)厚儀  鋼結(jié)構(gòu)防火層測(cè)厚儀
mc-2000d型涂(鍍)層測(cè)厚儀 鋼結(jié)構(gòu)防火層測(cè)厚儀1、測(cè)量范圍:  10~9000um2、測(cè)量誤差:  <3%±1um3、小示值:  1um4、顯示方式: 4位液晶數(shù)字顯示
更新時(shí)間:2025-02-18
RAY-3000A個(gè)人劑量報(bào)警儀
ray-3000a個(gè)人劑量報(bào)警儀(射線報(bào)警儀)是一款便攜式小型儀器,利用新型單片機(jī)技術(shù)制作而成,可在較惡劣環(huán)境下工作,具有抗干擾力,主要用來檢測(cè)χ射線和γ射線,從漢顯液晶屏能直接讀出射線“劑量率”;射線“累積劑量”。
更新時(shí)間:2025-02-18
電子引伸計(jì)
yyu-25/100電子引伸計(jì)引伸計(jì)結(jié)構(gòu)及工作原理 :應(yīng)變片、變形傳遞桿、彈性元件、限位標(biāo)距桿、刀刃和夾緊彈簧等。測(cè)量變形時(shí), 將引伸計(jì)裝卡于試件上, 刀刃與試件接觸而感受兩
更新時(shí)間:2025-02-17
顯微鏡
iia(b)型連續(xù)變倍體視顯微鏡是一種三目觀察儀器,具有較長的工作距離,寬闊的視野,較好的成像質(zhì)量,以及7x-180x連續(xù)改變放大倍率等特點(diǎn)。操作簡單,使用方便,可供電子工業(yè)、臨床手術(shù)、巖礦分析
更新時(shí)間:2025-02-17
顯微鏡
ia(b)型連續(xù)變倍體視顯微鏡是一種雙目觀察儀器,具有較長的工作距離,寬闊的視野,較好的成像質(zhì)量,以及7x-225x連續(xù)改變放大倍率等特點(diǎn)。操作簡單,使用方便,可供電子工業(yè)、臨床手術(shù)、巖礦分析、
更新時(shí)間:2025-02-17
測(cè)試儀
德國美翠mi2127精密接地電阻測(cè)試儀/土壤電阻率儀(二、三、四線法測(cè)量接地電阻和土壤電阻率) 采用傳統(tǒng)的打地樁方式來測(cè)量接地電阻,可用二、三、四線法,可測(cè)量
更新時(shí)間:2025-02-17
微壓計(jì)
axd610、axd620微壓計(jì)(美國alnor)儀器介紹:axd610和620微壓計(jì)使您在hvac的壓力測(cè)試更加簡單。這些結(jié)實(shí)耐用的儀器可以使用皮托管測(cè)量風(fēng)管內(nèi)風(fēng)速。axd610手持式數(shù)
更新時(shí)間:2025-02-17
實(shí)驗(yàn)裝置
ssgh-1型牛頓環(huán)實(shí)驗(yàn)裝置實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:1、觀測(cè)牛頓環(huán)干涉現(xiàn)象2、用牛頓環(huán)測(cè)量平凸透鏡曲率半徑基本配置及參數(shù):編號(hào)名稱規(guī)格件數(shù)1鈉燈低壓鈉燈,功率20w1套2低壓鈉燈電源220v,50hz1套3牛頓環(huán)牛頓環(huán)平凸透鏡
更新時(shí)間:2025-02-17
EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-02-17
EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過大的問題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長的鱷魚夾地線,而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-02-17
EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-02-17
EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問題。我們通過使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-02-17
EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開,屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-02-17
Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來說,emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-02-17
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-02-17
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface(cmd,data,clk)、memory core interface、總線接口控制(card interface controller)、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-02-17
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過發(fā)cmd的方式來實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-02-17
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-02-17
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-02-17
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性,省去總線 tuning 過程。
更新時(shí)間:2025-02-17
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-02-17
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-02-17
控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-02-17
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-02-17
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試  EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值,不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-02-17
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下,data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù),其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) (byte 1,3,5...),下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)(byte 2,4,6 ...)。
更新時(shí)間:2025-02-17
復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí),host 可以發(fā)送 cmd19 命令,觸發(fā)總線測(cè)試過程(bus testing procedure),測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-02-17
陰極保護(hù)監(jiān)測(cè)儀SD-21
陰極保護(hù)監(jiān)測(cè)儀sd-21用于測(cè)量陰極電位溢出,從而預(yù)防埋地燃?xì)夤艿赖母g。輸入阻抗為100 mω,在某些地形(比如花崗巖)上輸入阻抗可以被精確無誤的測(cè)量出來。是世界上首款同時(shí)設(shè)備電壓、電流、接地電阻、頻率的設(shè)備。
更新時(shí)間:2025-02-17
GSC60CN多功能電氣安全電能質(zhì)量綜合分析儀,安規(guī)儀
原裝進(jìn)口產(chǎn)品,觸摸屏操作簡單。由普通電池供電,方便操作現(xiàn)場更換,功能強(qiáng)大,可以測(cè)量電能質(zhì)量、連續(xù)性、絕緣電阻、線路/回路阻抗、接地電阻與土壤電阻率、rcd跳閘時(shí)間和電流,無跳閘時(shí)的接地回路阻抗、接觸電壓ut、相序、泄露電流、環(huán)境參數(shù)等
更新時(shí)間:2025-02-17
PCIE2.0 3.0 物理層一致性測(cè)試
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同,pcie總線使用端到端的連接方式,在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備,這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成,目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路,還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-02-17
PCIE2.0 3.0 TX 發(fā)送 物理層一致性測(cè)試
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處,但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中,數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生,然后再經(jīng)過該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer),終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-02-17
PCIE2.0 3.0 RX 接收 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài),主電源已經(jīng)停止供電時(shí),pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求,使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-02-17
PCIE Gen2/Gen3/Gen4 發(fā)送端 信號(hào)質(zhì)量一致性測(cè)試
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定,懷疑以下原因:- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問題- serdes電源問題- 時(shí)鐘問題
更新時(shí)間:2025-02-17
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉,它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程,在天無時(shí)無刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來,集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平,更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能,當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來說遇到的挑戰(zhàn)和問題也就越來越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-02-17
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中,般提供×16的pcie插槽,并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào),其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路,另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
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Pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來信噪比(snr)的挑戰(zhàn),也即隨著信號(hào)幅度越來越低,對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來越來越熱的pam 調(diào)制,比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù),由于采用 4 電平調(diào)制,其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
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Pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求,個(gè)是type00h配置請(qǐng)求,另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
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Pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層一致性測(cè)試
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代,工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車,每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律,也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
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