光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家
兩種型號(hào)的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強(qiáng)度控制電源和機(jī)器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調(diào)強(qiáng)度光束。電源從200w到2,000w。強(qiáng)度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強(qiáng)度監(jiān)控。機(jī)器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時(shí)間:2025-02-10
oai 5000e型大面積掩光刻機(jī)是一種先進(jìn)的高性能，全自動(dòng)掩模對準(zhǔn)器和曝光工具，可為大型平板應(yīng)用提供超精密，頂，亞微米對準(zhǔn)和分辨率。 其靈活的設(shè)計(jì)允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達(dá)300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計(jì)算機(jī)控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時(shí)間:2025-02-10
phabler 100 紫外光刻機(jī)是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機(jī)類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù)，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結(jié)果非常均勻，質(zhì)量很好。
更新時(shí)間:2025-02-10
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-02-10
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-02-10
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時(shí)間:2025-02-10
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺(tái)，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺(tái)設(shè)計(jì)，對電子束直寫應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時(shí)間:2025-02-10
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺(tái)，運(yùn)動(dòng)行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時(shí)間:2025-02-10
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機(jī) fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時(shí)間:2025-02-10
德國yxlon 定制化的緊湊型標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測系統(tǒng)cougar evo ，為封裝檢測、半導(dǎo)體及實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用量身定制
更新時(shí)間:2025-02-10
韓ecopia 變溫光霍爾效應(yīng)測試儀 hms-7000，可以通過改變照射在樣品上的不同波長范圍的光源（紅、綠、藍(lán)光源）， 得出載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等半導(dǎo)體電學(xué)重要參數(shù)隨光源強(qiáng)度變化的曲線。
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion光遮蔽粒子計(jì)數(shù)器 kl-05,（光滲透法），可測試粒徑范圍：1~20個(gè)通道范圍，1.3μm~100（0.1μm的間隔）大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀：ks-93( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：30 000 顆/l （誤差值低于5%），粒徑范圍（5個(gè)通道）：≥0.1μm， ≥0.15μm ， ≥0.2μm ， ≥0.3μm, ≥0.5μm， ≥25μm
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kc-22a ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：10000顆/l （誤差值低于5%）,可檢測從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kc-22b ( 光散射法）,液體粒子計(jì)數(shù)器，可檢測從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器kc-31 ( 光散射法）,測試粒徑（6個(gè)通道）,大粒子數(shù)濃度：28000000 顆/l
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kc-32 ( 光散射法）測試粒徑（6個(gè)通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm, ≥10μm
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kc-20a ( 光散射法）,測試粒徑（5個(gè)通道）：≥10μm， ≥20μm ， ≥30μm ， ≥50μm， ≥100μm
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：ka-05( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器,測試粒徑（2個(gè)通道）：≥0.5μm ， ≥5.0μm
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rio液體粒子計(jì)數(shù)器ke-18fx ( 光散射法）,測試粒徑（4個(gè)通道）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm，
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42d ( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（8個(gè)通道，出廠默認(rèn)）：≥2μm， ≥3μm ， ≥5μm ， ≥7μm, ≥10μm， ≥25μm ， ≥50μm ， ≥100μm(可選 ≥150μm）
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kl-30ax ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個(gè)通道，工廠標(biāo)配）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-30a ( 光散射法）, 測純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-30b ( 光散射法）, 測純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：200 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion 手持式粒子計(jì)數(shù)器：kc-51( 光散射方式）,大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion 手持式粒子計(jì)數(shù)器：kc-52( 光散射方式）,粒徑范圍：5個(gè)通道： 0.3μm ， 0.5μm , 1.0μm , 2.0μm, 5.0μm, 大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-02( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測試粒徑（2個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-03( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-02-10
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-82( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數(shù)濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時(shí)間:2025-02-10
玻璃去油墨設(shè)備,采用訂制紫外納激光器對玻璃表面進(jìn)行去油墨以及油墨微加工， 將產(chǎn)品損傷降至低。
更新時(shí)間:2025-02-10
oai 800型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng), 是半自動(dòng),four-camera、光學(xué)正面和背面光刻機(jī)。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對準(zhǔn)精度,旨在大大超過任何紅外背后對準(zhǔn)器性能的一個(gè)非常有競爭力的價(jià)格。通用模型800光刻機(jī)是理想的用于低產(chǎn)量、研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)。
更新時(shí)間:2025-02-10
瑞士nanofrazor 3d納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術(shù)的新研究成果。nanofrazor納米3d結(jié)構(gòu)直寫機(jī)第 一次將納米尺度下的3d結(jié)構(gòu)直寫工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時(shí)間:2025-02-10
nanoarch科研3d打印機(jī)m160 ，本套系統(tǒng)創(chuàng)新地使用了自動(dòng)化的多材料送料系統(tǒng)，兼顧高精度和多材料打印，可支持同時(shí)打印4種樹脂基復(fù)合材料進(jìn)行層間或?qū)觾?nèi)多材料3d打印，適用于基礎(chǔ)理論驗(yàn)證及原理創(chuàng)新研究，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。其主要應(yīng)用在點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)材料、功能梯度材料、超材料、復(fù)合材料、復(fù)雜微流控，多材料4d打印等方面。
更新時(shí)間:2025-02-10
nanoarch微納3d打印機(jī) p130/s130 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-02-10
nanoarch 3d打印機(jī)p140/s140 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有10μm的超高打印精度和10μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-02-10
理音rion kz-30uk采樣器，易于操作的室內(nèi)化學(xué)采樣器，當(dāng)腔體壓力過高的時(shí)候， 可以排凈空氣，防止發(fā)生故障 ，設(shè)計(jì)簡單的化學(xué)防爆采樣器，kz-30uk的設(shè)計(jì)是可以為 離線測試的液體粒子計(jì)數(shù)器提供加壓。
更新時(shí)間:2025-02-10
美nano-master熱蒸鍍系統(tǒng)：nte-4000 獨(dú)立式電子束蒸鍍，nte-3500 緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，nte-3000 雙蒸源臺(tái)式熱蒸鍍系統(tǒng)，nte-1000 簡便型熱蒸鍍。熱蒸鍍系統(tǒng)可以跟nano-master那諾-馬斯特的其它任意真空系統(tǒng)組成雙系統(tǒng)。
更新時(shí)間:2025-02-10
美nano-master磁控濺射系統(tǒng)：nsc-4000獨(dú)立式磁控濺射系統(tǒng)，可支持共濺射等能力的擴(kuò)展nsc-3500緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，可以支持金屬材料的dc濺射，介質(zhì)材料的rf濺射，以及脈沖dc濺射等應(yīng)用。nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射nsc-1000單金靶靶材的臺(tái)式濺射系統(tǒng)，不但可用于電鏡制備，也可以用于常規(guī)的金屬濺射
更新時(shí)間:2025-02-10
nano-master的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)pecvd系統(tǒng)npe-4000,可以制造高質(zhì)量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜。基板可以容納8英寸晶圓，可通過射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過熱電阻或者紅外燈加熱到800°c。ns
更新時(shí)間:2025-02-10
nano-master電子束蒸鍍系統(tǒng) nee-4000，可通過樣片掩膜實(shí)現(xiàn)組合蒸鍍，并可通過電腦控制單個(gè)電子束蒸鍍的蒸鍍速率。系統(tǒng)可支持共蒸鍍功能。能夠升支持自動(dòng)上下片，以及手動(dòng)或自動(dòng)翻轉(zhuǎn)樣片實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜。該系列的e-beam電子束蒸鍍系統(tǒng)，也可以跟磁控濺射
更新時(shí)間:2025-02-10
ibm離子銑/ibe離子束刻蝕系統(tǒng)：nie-4000 獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nie-3500 緊湊型獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2025-02-10
nano-master等離子清洗和灰化系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于廣泛的需求，從批處理和單晶圓的光刻膠剝離到晶圓表面改性都可以涵蓋。這些系統(tǒng)通過計(jì)算機(jī)控制，可以配套不同的等離子源，加熱和不加熱的基片夾具，以及獨(dú)一無二的從等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式的能力。$r
更新時(shí)間:2025-02-10
美nano-master ald/peald原子層沉積：nld-4000 獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3500 緊湊型獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3000 臺(tái)式ald系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-02-10
美nano-master rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)nrr-4000 獨(dú)立式雙rie或icp刻蝕系統(tǒng)nre-4000 獨(dú)立式rie或icp系統(tǒng)nre-3000 臺(tái)式rie系統(tǒng)ndr-4000 深硅刻蝕系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-02-10
美nano-master 熱真空太空模擬系統(tǒng) ndt-4000,是一款器件測試系統(tǒng)，俗稱“熱真空系統(tǒng)”,可以用于真空和可控的均勻加熱以及冷卻循環(huán)條件下的器件或樣片測試。
更新時(shí)間:2025-02-10
美nano-master rtp快速退火爐nrt-3500 緊湊型獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式大批量rtp系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2025-02-10
美nano-master swc單晶圓清洗系統(tǒng)swc-3000 臺(tái)式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-4000 立柜式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-5000 帶25片cassette 機(jī)械手自動(dòng)清洗nrt-4000 獨(dú)
更新時(shí)間:2025-02-10
美nano-master 大基片清洗機(jī) large substrate cleaning :lsc-4000 是一款獨(dú)立式清洗機(jī)，使用計(jì)算機(jī)控制，大可支持外徑21”的基片。
更新時(shí)間:2025-02-10
韓國ecopia 全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測試儀 hms-5300lth,溫度范圍：80k-573k,測量材料si, sige, sic, gaas, ingaas, inp, gan, tco(including ito),alzno, fecdte, zno 等所有半導(dǎo)體薄膜(p 型和 n 型)；
更新時(shí)間:2025-02-10
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