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光學平臺產(chǎn)品及廠家

德國 Sentech 等離子沉積機
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機,具有特殊的等離子體特性,如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時間:2025-03-13
德國 Sentech 等離子沉積機
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源,真空加載鎖定,控溫基片電,可選配低頻混頻,全控無油真空系統(tǒng)采用先進的森泰克控制軟件,采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù),具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-03-13
德國 Sentech 等離子沉積機
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設(shè)計與直接負載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃氣管道。
更新時間:2025-03-13
德國 Sentech 等離子刻蝕機
sentech etchlab200 經(jīng)濟型反應(yīng)離子刻蝕機(可升級),包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-03-13
德國 Sentech 等離子刻蝕機
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設(shè)計的優(yōu)點與直接負載的低成本設(shè)計相結(jié)合的直接負載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能,從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-03-13
德國 Sentech 反應(yīng)離子刻蝕機
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機,兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝;小型化和高度模塊化;sentech控制軟件
更新時間:2025-03-13
德國 Sentech 等離子刻蝕機
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機,代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進的sentech 控制軟件為基礎(chǔ),采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù),為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計特點。
更新時間:2025-03-13
德國 Sentech 等離子體 ICP 干法刻蝕機
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng),感應(yīng)耦合等離子刻蝕機臺,低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕,高速率刻蝕,內(nèi)置icp等離子源,動態(tài)溫控。
更新時間:2025-03-13
紫外單面光刻機
ure-2000系列紫外單面光刻機,主要型號有:ure-2000a,ure-2000b,ure-20000/35,ure-20000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學院制造生產(chǎn)。
更新時間:2025-03-13
紫外單面光刻機
ure-2000/a8 紫外單面光刻機,中科院設(shè)計生產(chǎn)。曝光面積: 200mm×200mm
更新時間:2025-03-13
紫外單面光刻機
ure-2000a 型紫外單面光刻機,中科院設(shè)計生產(chǎn),曝光面積:150mmx150mm
更新時間:2025-03-13
紫外單面光刻機
ure-2000b 型紫外單面光刻機,中科院設(shè)計生產(chǎn),曝光面積:100mmx100mm
更新時間:2025-03-13
紫外單面光刻機
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,中科院設(shè)計生產(chǎn),曝光面積:4 英寸 ,非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,自動化程度高)和高校教學科研 (可靠性好,演示方便) 。
更新時間:2025-03-13
芬蘭 PICOSUN 原子層沉積機
芬蘭 picosun r-200標準型ald,為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的,易更換的前驅(qū)源系統(tǒng),能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨立的,完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。
更新時間:2025-03-13
PICOSUN 生產(chǎn)型原子層沉積機
德國 picosun p-1000 pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機,156 mm x 156 mm硅片800~1000片/批次(雙面/背對背),高達400 mm x 600 mm玻璃基板30~50片/批次(雙面/背對背),(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標準設(shè)備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-03-13
高級型原子層沉積機
picosun p-300 advanced ald 高級型原子層沉積機.156 mm x 156 mm硅片50~100片/批次(雙面/背對背),高達300 mm x 300 mm玻璃基板10~20片/批次(雙面/背對背);roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動轉(zhuǎn)載,用工業(yè)機器人實現(xiàn),標準設(shè)備驗收標準為 al2o3 工藝 .
更新時間:2025-03-13
高級原子沉積機
picosun p-300b advanced ald 高級原子沉積機,基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次(標準間距),200mm晶圓25+2片/批次(標準間距),(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標準設(shè)備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-03-13
生產(chǎn)線型原子層沉積機
p-300s 生產(chǎn)線型原子層沉積機,最大300mm晶圓/單片,25片晶圓盒對盒式全自動裝載(cassette-to-cassette),用picoplatform™ 300集群系統(tǒng)實現(xiàn),尺寸:(w x h x d) 160 cm x 80 cm x 240 cm
更新時間:2025-03-13
生產(chǎn)型原子層沉積機
p-300f,p-300bv 生產(chǎn)型原子層沉積機,p-300f pro: 27片晶圓盒對盒式全自動裝載(cassette-to-cassette),用picoplatform™200集群系統(tǒng)實現(xiàn)。p-300bv pro: 52片晶圓盒對盒式全自動裝載,用真空批量load lock實現(xiàn)。
更新時間:2025-03-13
生產(chǎn)型原子層沉積機
picosun p-200s pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機 ,襯底尺寸和類型: 。50 – 200 mm /單片 。156 mm x 156 mm 太陽能硅片 。150 mm x 150 mm 顯示面板
更新時間:2025-03-13
高級型原子層沉積機
芬蘭picosun™ r-200高級型 ald,襯底尺寸和類型 : 。50-200 mm /單片 。156 mm x 156 mm太陽能硅片 。3d復(fù)雜表面襯底 。粉末與顆粒 。roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm 。多孔,通孔,高深寬比(har)樣品
更新時間:2025-03-13
美國Trion批量生產(chǎn)用設(shè)備去膠系統(tǒng)
jbx-8100fs 圓形電子束光刻系統(tǒng)· 最新高精密jbx-8100fs圓形電子束光刻系統(tǒng),通過全方位的設(shè)計優(yōu)化,實現(xiàn)更簡便的操作,更快的刻寫速度,更小的占地面積和安裝空間,并且更加綠色節(jié)能。
更新時間:2025-03-13
牛津ICP等離子沉積機
plasmapro 80 icpcvd 牛津icp等離子沉積機,是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能夠確保工藝性能。直開式設(shè)計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸,是科學研究、原型設(shè)計和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高性能工藝。
更新時間:2025-03-13
牛津Oxford等離子刻蝕與沉積設(shè)備
牛津oxford system 100 等離子刻蝕與沉積設(shè)備,該設(shè)備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備,具有工藝靈活性,適用于化合物半導(dǎo)體,光電子學,光子學,微機電系統(tǒng)和微流體技術(shù).
更新時間:2025-03-13
英國牛津OXFORD 等離子體刻蝕機
plasmapro 80 icp 英國牛津oxford 等離子體刻蝕機,是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng),可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置,便于使用,且能夠確保工藝質(zhì)量。直開式設(shè)計允許快速的進行晶圓裝卸,是科學研究、原型設(shè)計和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設(shè)備通過優(yōu)化了的電冷卻技術(shù)和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結(jié)果。
更新時間:2025-03-13
牛津開放式樣品載入ALD設(shè)備
牛津opal開放式樣品載入ald設(shè)備,緊湊型開放式樣品載入原子層沉積(ald)系統(tǒng),opal提供了業(yè)的熱ald設(shè)備,可以簡單明了的升使用等離子體,使得在同一緊湊設(shè)備中集成了等離子體和熱ald。
更新時間:2025-03-13
牛津離子束刻蝕機
已獲得利的高速襯底架(高達1000rpm)設(shè)計,并配備了白光光學監(jiān)視器(wlom)——更為準確的實時光學薄膜控制
更新時間:2025-03-13
牛津深硅刻蝕系統(tǒng)
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng),旨在提供深硅蝕刻(dsie)域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)(mems)、 先進封裝以及納米技術(shù)市場的各種工藝要求?紤]到研究和生產(chǎn)的市場發(fā)展,plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
更新時間:2025-03-13
牛津原子層刻蝕機
plasmapro 100 ale 牛津原子層刻蝕機,市場應(yīng)用廣,包括但不限于: mems和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術(shù)。它具有足夠的靈活性,可用于研究和開發(fā),通過打造質(zhì)量滿足生產(chǎn)需求。
更新時間:2025-03-13
英國HHV 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng)
英國hhv auto500 gb 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng),是門設(shè)計用于手套箱集成使用的鍍膜設(shè)備,滿足氧氣或水汽敏感的材料鍍膜的應(yīng)用要求。該系統(tǒng)配了一個特殊結(jié)構(gòu)的真空腔室,可直接與市場上大多數(shù)手套箱集成到一起。真空腔室的門可豎直滑動開關(guān),嵌入手套箱內(nèi),并占用很少的手套箱空間;其后門是鉸鏈扇式開關(guān),能在不影響手套箱內(nèi)氣氛的情況下輕松維護腔室內(nèi)工藝組件。
更新時間:2025-03-13
英國HHV  科研工作者和電子顯微學家的多功能鍍膜設(shè)備
英國hhv auto 306 科研工作者和電子顯微學家的多功能鍍膜設(shè)備,是一種多功能的緊湊型鍍膜設(shè)備,設(shè)計用于滿足科研工作者和電子顯微學家的需求。auto306可配備各種真空系統(tǒng)、真空腔室和標準化工藝附件,提供一系列實驗技術(shù)以滿足現(xiàn)代化實驗室的需要。
更新時間:2025-03-13
英國HHV適合先進研發(fā)和試生產(chǎn)的全功能系統(tǒng)
tf500/tf600 適合先進研發(fā)和試生產(chǎn)的全功能系統(tǒng),系統(tǒng)配置可選擇多種腔室尺寸和工藝附件,以精確的符合用戶需求。這兩個型號的系統(tǒng)都可以安裝多個鍍膜源,也都支持離子束處理選項。有一系列預(yù)進樣室(load lock)和樣品操縱裝置可供選擇,以提高真空鍍膜效率。
更新時間:2025-03-13
URE-2000B 型紫外單面光刻機
ure-2000b 型紫外單面光刻機,曝光面積:100mmx100mm,分辨力:0.8μm(膠厚 2μm 的正膠)
更新時間:2025-03-13
URE-2000/600 紫外單面光刻機
ure-2000/600 紫外單面光刻機,光束口徑: 650mm×650mm,對準精度: ±1.5μm
更新時間:2025-03-13
無掩膜單面光刻機
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機,采用 dmd 作為數(shù)字掩模,像素數(shù) 1024×768,采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時間:2025-03-13
型無掩模單面光刻機
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機,采用 dmd 作為數(shù)字掩模,像素數(shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像,分辨力 1um。
更新時間:2025-03-13
紫外單面光刻機
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機,,非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,全自動)和高校教學科研(可靠性好,演示方便)采用自動找平,具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能,自動分離對準間隙和消除曝光間隙,采用 350w 進口(德國)直流汞燈,可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制,性能非常可靠,自動化程度很高,操作十分方便。
更新時間:2025-03-13
紫外單面光刻機
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,自動化程度高)和高校教學科研(可靠性好,演示方便)采用自動找平,具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能,自動分離對準間隙和消除曝光間隙,采用 350w 進口(德國)直流汞燈,可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制,性能非?煽浚詣踊潭群芨,操作十分方便。
更新時間:2025-03-13
紫外單面光刻機
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積:100mm×100mm;分辨力:1.0 μm(膠厚 2.0 μm 的正膠,365nm 波長)
更新時間:2025-03-13
型紫外單面光刻機(臺式)
ure-2000/17 型紫外單面光刻機(臺式),曝光面積:4 英寸,分辨力:1.5μm(膠厚 2 m 的正膠),對準精度:±1μm
更新時間:2025-03-13
型紫外單面光刻機
ure-2000/25 型紫外單面光刻機,曝光面積:4 英寸,分辨力:1 μm(膠厚 2 μm的正膠),對準精度:± 0.8μm
更新時間:2025-03-13
紫外雙面光刻機型紫外單面光刻機
ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機,曝光面積:6 英寸,分辨力:1 μm
更新時間:2025-03-13
紫外雙面光刻機
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機,曝光面積:4 英寸,正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡:既可通過目鏡目視對準,也可通過 ccd+顯示器對準,光學合像,光學大倍數(shù) 400 倍,光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-03-13
紫外雙面光刻機
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積:6 英寸,對準精度:± 2μm (雙面,片厚 0.8mm),± 0.8μm (單面)
更新時間:2025-03-13
紫外雙面光刻機
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積:8 英寸, 曝光波長:365nm: 15mw/cm,405nm:15-30mw/cm2, 對準精度:±2 μm (雙面,片厚 0.8mm)±0.8 μm (單面)
更新時間:2025-03-13
雙面光刻機
ure-2000s/25s 型雙面光刻機,曝光面積:4 英寸(或 6 英寸),正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡:既可通過目鏡目視對準,也可通過 ccd+顯示器對準,光學合像,光學大倍數(shù) 400 倍,光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-03-13
紫外雙面光刻機
ure-2000s/35l(a)型紫外雙面光刻機,曝光面積:6 英寸,正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡:既可通過目鏡目視對準,也可通過 ccd+顯示器對準,光學合像,光學大倍數(shù) 400 倍,光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-03-13
雙面光刻機
ure-2000s/35l(b)型雙面光刻機, 曝光面積:4 英寸, 正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡:既可通過目鏡目視對準,也可通過 ccd+顯示器對準,光學合像,光學 大倍數(shù) 400 倍,光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-03-13
紫外單面光刻機
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準過程,并提供 usb 輸出;既滿足高精度對準,又可用于檢測曝光結(jié)果,且曝光結(jié)果和方便存儲
更新時間:2025-03-13
紫外單面光刻機
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積:150mm×150mm;分辨力:1.0μm(365nm 波長),對準精度:≤±0.8μm
更新時間:2025-03-13

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