AN9635H現(xiàn)貨供應(yīng)交直流耐壓絕緣測(cè)試儀 廈門(mén)豪天供應(yīng)AN9635H
ZC7110程控交直流耐壓絕緣測(cè)試儀 ZC7120程控交直流耐壓絕緣測(cè)試儀
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| ZC7110、ZC7120程控交直流耐壓測(cè)試儀/絕緣測(cè)試儀 ■16×2大字符LCD顯示 ■線性、低失真正弦波輸出 ■5組程式設(shè)定，記憶功能 ■電壓緩升設(shè)定功能 ■特有電弧偵測(cè)功能，缺陷判別更為 | ■ZC7110具備交流耐壓測(cè)試功能 ■ZC7120具備交直流耐壓測(cè)試功能 ■ZC7112具備交流耐壓/絕緣測(cè)試功能 ■ZC7122具備交直流耐壓/絕緣測(cè)試功能 | |
AN9636H/ AN9635H交直流耐壓絕緣測(cè)試儀
| 技術(shù)參數(shù) | AN9636H 交流耐壓、直流耐壓、絕緣 | AN9635H 交流耐壓、直流耐壓、絕緣 | |||
| 交 流 耐 壓 測(cè) 試 | 輸出電壓設(shè)定和測(cè)量范圍 | 100V~5000V AC 1V/步 | |||
| 最大輸出電流 | 100mA | 40mA | |||
| 輸出電壓調(diào)整率 | ±（2%×設(shè)定值+5V） | ||||
| 輸出電壓分辨率及精度 | 10V ±（2%×設(shè)定值+5V） | ||||
| 輸出頻率范圍及精度 | 50Hz/60Hz ±100ppM | ||||
| 輸出波形 | 正弦波，純阻負(fù)載下，200V以上失真度優(yōu)于2%，100V~200V優(yōu)5% | ||||
| 擊穿電流報(bào)警上下限設(shè)定 | 上限0.00~99.99mA 0.01mA/步； 下限0.000~9.999mA 0.001mA/步 | 上限0.00~40.00 mA 0.01mA/步； 下限0.000~9.999mA 0.001mA/步 | |||
| 擊穿電流測(cè)量范圍 | 0.000~3.500mA / 3.50~99.99mA | 0.000~3.500mA / 3.50~40.00mA | |||
| 擊穿電流測(cè)量分辨率 | 0.001mA / 0.01mA | ||||
| 擊穿電流測(cè)量精度 | 0.2mA 以上優(yōu)于 ±（2%×讀數(shù)+3個(gè)字）； 0.2mA 以下優(yōu)于 ±（2%×讀數(shù)+10個(gè)字） | ||||
| 緩升時(shí)間設(shè)置范圍/分辨率 | 0.0~999.9ss 0.1s/步 | ||||
| 緩降時(shí)間設(shè)置范圍/分辨率 | 0.0~999.9 0.1s/步 | ||||
| 測(cè)試時(shí)間設(shè)置范圍/分辨率 | 0.5~999.9s 0.1s/步 | ||||
| 測(cè)線歸零 | 0~2.000mA,自動(dòng)或手動(dòng)消除空載時(shí)的偏差值 | ||||
| 直流耐壓測(cè)試 | 輸出電壓設(shè)定和測(cè)量范圍 | 100V~6000V DC 1V/步 | |||
| 最大輸出電流 | 10mA | ||||
| 輸出電壓調(diào)整率 | ±（2%×設(shè)定值+5V） | ||||
| 輸出電壓分辨率及精度 | 10V ±（2%×設(shè)定值+5V） | ||||
| 直流電壓紋波系數(shù) | ≤5%（在6kV,<1mA電流純阻性負(fù)載條件下測(cè)試） | ||||
| 擊穿電流報(bào)警上下限設(shè)定范圍 | 上限0~9999µA 1µA/步； 下限0.0~999.9µA 0.1µA/步 | ||||
| 直流緩升電流上限設(shè)定范圍 | 12mA ON或OFF可設(shè)置 | ||||
| 直流充電電流下限設(shè)定范圍 | 0.0~350.0µA | ||||
| 擊穿電流測(cè)量范圍 | 0.0~350.0µA / 300~3500µA / 3.00~9.99mA | ||||
| 擊穿電流測(cè)量分辨率 | 0.1µA / 1µA / 0.01mA | ||||
| 擊穿電流測(cè)量精度 | 0.0~350.0µA：±（2%×讀數(shù)+5個(gè)字）; 350.0~9999.0µA：±（2%×讀數(shù)+2個(gè)字） | ||||
| 緩升時(shí)間設(shè)定/測(cè)試時(shí)間范圍 | 0.0~999.9s/0.5~999.9s 0.1s/步 | ||||
| 測(cè)試歸零 | 0~200µA, 自動(dòng)或手動(dòng)消除空載時(shí)的偏差值 | ||||
| 絕緣電阻測(cè)試 | 輸出電壓設(shè)定和測(cè)量范圍 | 100~1000V DC 1V/步 | |||
| 輸出電壓分辨率及精度 | 1V ±（2%×設(shè)定值+5V） | ||||
| 直流紋波系數(shù) | ≤1%（在100V,<1mA電流純阻性負(fù)載條件下測(cè)試） | ||||
| 輸出電壓調(diào)整率 | ±（2%×設(shè)定值+5V） | ||||
| 測(cè)試時(shí)間設(shè)定范圍 | 0.5~999.9s 0.1s/步 | ||||
| 絕緣電阻下限設(shè)置范圍 | 1~9999MΩ | ||||
| 絕緣電阻上限設(shè)置范圍 | 0~9999MΩ | ||||
| 充電電流下限設(shè)置范圍 | 0.000~3.500µA | ||||
| 絕緣電阻測(cè)量范圍 | 1~9999MΩ，自動(dòng)換檔 | 1~2000MΩ，自動(dòng)換檔 | |||
| 絕緣電阻測(cè)量精度 | 500~1000V：±（2%×讀數(shù)+2個(gè)字） 1~200MΩ; ±（5%×讀數(shù)+2個(gè)字） 200~1000M; ±（15%×讀數(shù)+2個(gè)字） 1000MΩ以上。 500V以下： ±（8%×讀數(shù)+2個(gè)字） 1~1000MΩ; ±（12%×讀數(shù)+2個(gè)字） 1000~2000MΩ。 | ||||
| 功能接口 | 開(kāi)關(guān)量接口：?jiǎn)?dòng)、停止信號(hào)輸入、調(diào)用1-8組，合格、報(bào)警、測(cè)試、故障信號(hào)輸出； 掃描口、RS232（RS485選配）和打印口 | ||||
| 外形尺寸W×H×D（mm） | 400×156×475 | ||||
| 配件名稱(chēng) | 型號(hào) |
| 接地線 | AN000-03 |
| 測(cè)試線 | AN960-02 |
| 測(cè)試探棒 | AN960-01 |
HC系列儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)/TSDC熱刺激極化電流/電聲脈沖法空間電荷測(cè)量
隨著能源需求的不斷增加以及對(duì)環(huán)境友好能源的需求，新型能源儲(chǔ)能材料的研究成為了當(dāng)前的熱門(mén)領(lǐng)域之一。在開(kāi)發(fā)新一代的儲(chǔ)能新材料時(shí)，對(duì)其性能的測(cè)試與分析是至關(guān)重要的一環(huán)，儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)可以通過(guò)各功能測(cè)試模塊，系統(tǒng)的幫組科研人員從能量密度、功率密度、循環(huán)壽命、安全性四個(gè)方面對(duì)新材料性能進(jìn)行分析檢測(cè)，評(píng)估材料的性能指標(biāo)，判斷是否符合應(yīng)用要求。
系統(tǒng)配置
01.電壓擊穿（介電場(chǎng)強(qiáng)）
由能量密度可知，擊穿場(chǎng)強(qiáng)相對(duì)于介電常數(shù)對(duì)于材料能量密度的影響更為突出，獲得高能量密度對(duì)復(fù)合材料擊穿場(chǎng)強(qiáng)提出了更高的要求。
通過(guò)上位機(jī)系統(tǒng)控制高壓擊穿測(cè)試模塊，可以安全、便捷、準(zhǔn)確的對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行工頻下的交流、高壓直流擊穿試驗(yàn)，測(cè)試出擊穿場(chǎng)強(qiáng)。甚至可以通過(guò)測(cè)試軟件設(shè)置直流輸出時(shí)間，以完成樣品的極化過(guò)程。
02.高低頻介電頻譜、溫譜
用于分析寬頻、高低溫環(huán)境下儲(chǔ)能新材料的阻抗Z、電抗X、導(dǎo)納Y、電導(dǎo)G、電納B、電感L、介電損耗D、品質(zhì)因數(shù)Q等物理量，同時(shí)還可以分析被測(cè)樣品隨溫度、頻率、時(shí)間、偏壓變化的曲線。
03.高溫絕緣電阻
高精度的電壓輸出與電流測(cè)量，即使在高低溫環(huán)境下可能很好的屏蔽背景電流，保障測(cè)試品質(zhì)，適用與儲(chǔ)能新材料在不同環(huán)境溫度下絕緣性能的檢測(cè)。
04.熱釋電測(cè)試
不論是薄膜還是塊體形式的儲(chǔ)能材料，都可對(duì)其進(jìn)行熱釋電性能測(cè)試。采用電流法進(jìn)行測(cè)量，材料的熱釋電電流、熱釋電系數(shù)、剩余極化強(qiáng)度對(duì)溫度和時(shí)間的曲線。
05.TSDC熱刺激極化電流
熱刺激電流（TSC）是研究熱釋電材料中陷阱結(jié)構(gòu)和陷阱結(jié)構(gòu)所控制的空間電荷存貯及運(yùn)輸特性的工具，同時(shí)也是研究熱點(diǎn)材料結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變和分子運(yùn)動(dòng)的重要手段。諸如：分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等，通過(guò)TSDC技術(shù)也可以直觀的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)介電特性、
06.充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試
用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能，同目前常見(jiàn)的方法是通過(guò)電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)能量密度，測(cè)試時(shí)，樣品的電荷釋放至高壓源上，而非釋放至負(fù)載上，也就是說(shuō)，通過(guò)電滯回線測(cè)得的能量密度會(huì)大與樣品實(shí)際釋放的能量密度，不能正確評(píng)估儲(chǔ)能材料的正常放電性能。華測(cè)充放電測(cè)試具有專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的電容放電電路來(lái)測(cè)量，首先將測(cè)試材料充電到給定電壓，之后通過(guò)閉合高速MOS高壓開(kāi)關(guān)，將存儲(chǔ)在儲(chǔ)能材料中的能量釋放到電阻器負(fù)載中，更符合電介質(zhì)充放電原理。
07.電聲脈沖法空間電荷測(cè)量
空間電荷是指在材料特定區(qū)域內(nèi)電荷分布不均勻的現(xiàn)象。該現(xiàn)象是由于載流子的擴(kuò)散和漂移運(yùn)動(dòng)所導(dǎo)致的，在材料的局部區(qū)域產(chǎn)生了電荷累積，從而使材料改變了原本的電中性狀態(tài)？臻g電荷的存在對(duì)材料的電學(xué)性能有著重要的影響，可能導(dǎo)致電場(chǎng)畸變、絕緣性能下降等問(wèn)題。
電聲脈沖法（PEA）空間電荷測(cè)試可以便捷準(zhǔn)確地測(cè)量固體儲(chǔ)能材料內(nèi)部空間電荷分布,電聲脈沖法可以測(cè)量較厚的介質(zhì)，可以在帶電狀態(tài)下直接測(cè)量絕緣測(cè)試樣品中的空間電荷分布，最小可測(cè)空間電荷密度為4μC·cm-3,最小可測(cè)試樣厚度為0.2mm。
08.靜電電壓
靜電是一種處于靜止?fàn)顟B(tài)的電荷，雖然其總電荷量不大，但其瞬間釋放所產(chǎn)生的高電壓與大電流非常容易對(duì)周邊電路、設(shè)備乃至人員造成損害。對(duì)儲(chǔ)能材料的靜電性能（包括面電荷密度與電阻）進(jìn)行測(cè)試，可以對(duì)后期防靜電工程設(shè)計(jì)和改善儲(chǔ)能系統(tǒng)的抗靜電性能設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支持，對(duì)周?chē)娐返撵o電敏感電子元器件選型提供參考依據(jù)。
配置模塊功能 | 測(cè)試儀表 | 測(cè)試環(huán)境配件/夾具 | ||
電壓擊穿（介電場(chǎng)強(qiáng)） | 高壓電源 | 變溫油浴槽 溫度范圍：RT~250℃（視絕緣介質(zhì)性能） | ||
高低頻介電溫譜 | 阻抗分析儀 | 高低溫冷熱臺(tái) 溫度范圍：-185℃~600℃ | 高溫近紅外爐 溫度范圍：RT~1450℃ | 高低溫環(huán)境箱 溫度范圍：-185℃~450℃ |
高溫絕緣電阻測(cè)試 | 高阻計(jì)/源表 | 高低溫冷熱臺(tái) 溫度范圍：-185℃~600℃ | 高溫近紅外爐 溫度范圍：RT~1450℃ | 高低溫環(huán)境箱 溫度范圍：-185℃~450℃ |
熱釋電測(cè)試 | 高阻計(jì)/靜電計(jì) | 高低溫冷熱臺(tái) 溫度范圍：-185℃~600℃ | 高低溫環(huán)境箱 溫度范圍：-185℃~450℃ |
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TSDC熱刺激電流測(cè)試 | 高阻計(jì)/靜電計(jì) | 高低溫冷熱臺(tái) 溫度范圍：-185℃~600℃ | 高低溫環(huán)境箱 溫度范圍：-185℃~450℃ |
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充放電儲(chǔ)能密度測(cè)試 | 充放電測(cè)試模塊 | 變溫測(cè)試盒 溫度范圍：RT~250℃（視絕緣介質(zhì)性能） | ||
靜電電壓 | 高阻計(jì)/靜電計(jì) | 靜電變溫測(cè)試罐 溫度范圍： | ||
空間電荷測(cè)試 | 示波器+高壓電源+功率放大器 | 電聲脈沖法空間電荷測(cè)試夾具 | ||
（各測(cè)試夾具圖片）
拓展資料能量密度常用計(jì)算公式：
式中：Uc為電容器的充電能量密度；Ud為電容器的實(shí)際放電能量密度；E為外加電場(chǎng)；D為電位移；Dmax為最大電位移；Dr為剩余電位移；ε0為電介質(zhì)的真空介電常數(shù)；εr為電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)；Eb為擊穿場(chǎng)強(qiáng)；η為充放電效率。